1987, 9(3): 264-268.
刊出日期：1987-05-19
用Zn作扩散源在封闭的真空石英管中,研究了Zn在Ge中的扩散问题,给出了xj-t1/2关系和C-1/T关系,比较了扩散源温度对样品表面形貌的影响。采用双温区扩散工艺可获得表面光亮的样品。采用真空退火工艺可使扩散样品表面漏电流降低。
1993, 15(1): 83-87.
刊出日期：1993-01-19
关键词:
编码; 调制; 格状码
本文在L.F.Wei(1984)的工作基础上,定义了格状码格状图的一般结构,讨论了二维QAM星座的旋转不变格状码的性质,给出了其全部不等价信号安排,从而可以方便地设计旋转不变格状码。
2019, 41(8): 2001-2008.
doi: 10.11999/JEIT180886
刊出日期：2019-08-01
树增强朴素贝叶斯(TAN)结构强制每个属性结点必须拥有类别父结点和一个属性父结点，也没有考虑到各个属性与类别之间的相关性差异，导致分类准确率较差。为了改进TAN的分类准确率，该文首先扩展TAN结构，允许属性结点没有父结点或只有一个属性父结点；提出一种利用可分解的评分函数构建树形贝叶斯分类模型的学习方法，采用低阶条件独立性(CI)测试初步剔除无效属性，再结合改进的贝叶斯信息标准(BIC)评分函数利用贪婪搜索获得每个属性结点的父结点，从而建立分类模型。对比朴素贝叶斯(NB)和TAN，构建的分类器在多个分类指标上表现更好，说明该方法具有一定的优越性。
1996, 18(6): 638-643.
刊出日期：1996-11-19
关键词:
锗硅合金; 应变; 重掺杂; 能带结构
针对应变Si1-xGex的应变致价带分裂和重掺杂对裂值的影响,提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型。模型中考虑了非抛物线价带结构。应用这个模型,计算了赝晶生长在100Si衬底上的p型Si_(1-x)Ge_x应变层的重掺杂禁带窄变,发现当杂质浓度超过约2～31019cm-3后,它在某一Ge组分下得到极大值,而当掺杂低于此浓度时,它则随Ge组分的增加单调下降。与实验报道的对比证实了本模型的有效性。
1989, 11(4): 410-415.
刊出日期：1989-07-19
关键词:
天线; 覆介质导体圆柱; 缝隙; 耦合
本文研究覆介质导体圆柱面上轴向窄缝间的耦合,讨论了耦合系数谱展开式中无穷积分的收敛性态,利用辅助函数Ge得出了耦合系数的计算公式,给出了部分数值计算结果。
1987, 9(3): 273-277.
刊出日期：1987-05-19
本文介绍用天线指向冷空时的天线噪声温度TAN作为定标基准,并以射电源为信标,测量天线剩余噪声温度Tas的基本原理和方法。与用冷、热负载为定标基准测量Tas相比,两者测量结果基本吻合;但该方法具有测量方法简便和测量设备简单等优点。Tas的测量误差约为3％。天线增益测量精度可保持在0.3dB左右。
2009, 31(5): 1233-1236.
doi: 10.3724/SP.J.1146.2008.00108
刊出日期：2009-05-19
该文采用通用流封装GSE来完成地面数字多媒体广播(T-DMB)系统的IP业务的传输，提出了一种改进的GSE-FEC方案。其中设计了一种可提供帧重构信息以及错误位置信息的改进的GSE封装(IGSE)，进一步提出了基于IGSE的带擦除译码方案IGE，用于GSE-FEC方案的译码部分, 较好地提高了GSE-FEC的性能。仿真结果表明，IGE与基于非带擦除(NE)以及基于现有GSE封装的带擦除(GE)RS译码方案相比，均表现出更强的纠错能力，另外，与GE方案相比，IGE可以更好的保护正确字节，有效的减少信息浪费。
2006, 28(8): 1415-1417.
刊出日期：2006-08-19
关键词:
数字签名;代理签名;多重代理;多重签名
为克服多重代理签名方案中无法确认谁是真正签名者的弱点，Sun于1999年提出了不可否认的代理签名方案。2000年Hwang等人指出Sun的方案不安全，并对Sun的方案进行了改进，2004年 Tzeng, Tan, Yang各自对Hwang等人的方案进行了安全性分析，指出Hwang方案容易受到内部伪造攻击。该文通过让原始签名组与代理签名组互动来实现秘密共享和密钥分配的方法，设计了一种新的安全的多重代理、多重签名方案，它能够满足不可否认性和不可伪造性的要求。
1990, 12(2): 169-178.
刊出日期：1990-03-19
关键词:
电子光学; 磁偏转器; 任意形状绕组
本文将文献[1]的分析方法推广到带铁心的偏转器,绕组形状可以是任意的,如子午绕组、非子午绕组、鞍形、环形或扇形等。对铁心与绕组之间有一定间隙的情况,提出了计算偏转场的一种新的表示式,并用高斯-切比雪夫积分式对积分方程离散求解。最后用COTY GE-14''彩显管偏转器的解剖数据验证。
1989, 11(3): 333-336.
刊出日期：1989-05-19
本文用DLTS谱仪和单脉冲瞬态电容技术测量了光通信用GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级,对有源区掺Si和掺Ge的相同结构器件,均测得有多子陷阱存在,其能级位置分别为EC-ED0.29eV和ET-EV0.42eV。比较了外延系统中氧含量变化对有源区掺Si器件深能级的影响,以及有源区EL图象中的DSD与深能级关系,结果表明外延系统中氧含量对深能级有明显影响,而EL图象中DSD的出现率与深能级无明显关系。
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